Du Silicium au circuit intégré

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    En bref

  • Code : N8EE12A

Objectifs

Conception, Fabrication et Caractérisation d’un amplificateur opérationnel CMOS à 2 étages en technologie 0.6 µm.

Description

: L’objectif de cette formation est de proposer un module complet allant de la modélisation d’une technologie CMOS 6 µm jusqu’au test d’un circuit analogique fabriqué en salle blanche, après une étape de conception, simulation. En s’appuyant sur les méthodes d’Apprentissage Par Projet (APP) et de pédagogies actives, cette formation favorise l’apprentissage des outils et des méthodes de conception des circuits CMOS autour de la conception et de la réalisation concrète d’un amplificateur CMOS à 2 étages répondant à un cahier des charges précis. Tout au long de ce projet d’une durée totale de 10 journées, les étudiants organisés en groupe de 4 devront analyser et confronter leurs résultats de mesures à leur étude théorique et simulée tant pour la partie technologique (caractérisation des capacités MOS, diodes, transistors MOS) que pour la partie circuit (bande passante, gain, slew rate, offset, consommation, plage d’entrée, de sortie

Pré-requis nécessaires

Montages amplificateurs à transistors

Physique du semi-conducteur et jonction PN

Session 1 ou session unique - Contrôle des connaissances

ModalitéNatureCoefficientRemarques
CT (contrôle terminal) Projet100%Projet-Du silicium au circuit intégré

Session 2 - Contrôle des connaissances

ModalitéNatureCoefficientRemarques
CT (contrôle terminal) Projet100%Projet-Du silicium au circuit intégré

Contact(s)

ANDREU DANIELLE
BERNAL OLIVIER
TAP HELENE
MOUTAYE EMMANUEL
CALMON PIERRE FRANCOIS

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L’École Nationale Supérieure d'Électrotechnique, d'Électronique, d'Informatique, d'Hydraulique et des Télécommunications

2, rue Charles Camichel - BP 7122
31071 Toulouse Cedex 7, France

+33 (0)5 34 32 20 00

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