MOSFET Driver Circuits

Objectifs

A l’issue de la formation portant sur la conception des circuits drivers dédiés à la commande des transistors de puissance, les étudiants de niveau M2 seront capables de dimensionner, piloter et simuler un bras d’onduleur en montrant qu’ils maitrisent les différentes étapes de la commutation des transistors de puissance lorsque les performances en termes de CEM et de rendement énergétique seront atteintes.

Description

Plan du cours :

• Part 1:
   Introduction to the power switches

• Part 2:
  Driver design

• Part 3:

Drivers & power supply topologies

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Bibliographie

• S. Lefebvre, B. Multon, “MOSFET et IGBT : Circuits de commande”, Techniques de l’Ingénieur, D 3 233, pp 1-16.
• Y. Chen, F.C. Lee, L. Amoroso, “A resonant MOSFET gate driver with efficient energy recovery”, IEEE Trans.on Power Electronics, Vol 19, No. 2, March 2004
• H. Wang, F. Wang, “A self-powered resonant gate driver for high power MOSFET modules”, Applied Power Electronics Conference and Exposition, 2006
• Dragan Maksimovic. “A MOS Gate Drive with Resonant Transitions”, PESC 1991, p.527.
• T. Lopez, G.Sauerlaender, T. Duerbaum, T. Tolle, “A detailed analysis of a resonant gate driver for PWM applications”, Applied Power Electronics Conference and Exposition, 2003

Pré-requis nécessaires

Connaissance du principe de fonctionnement des transistors bipolaire et MOSFET silicium ainsi que des bases de la conception de circuits analogiques (lois de Kirchhoff courant/tension, dipôles passifs, montage à base d’AOP, etc…).

Session 1 ou session unique - Contrôle des connaissances

Session 2 - Contrôle des connaissances